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2020 IEEE国际集成电路技术与应用学术会议2020年11月23-25日(中国江苏南京)征稿通知
  • 第三届IEEE国际集成电路技术与应用学术会议(ICTA2020),将于2020年11月23至25日在中国南京举行。该会议按照IEEE的国际会议相关标准举办,会议意在交流和展示当今社会中集成电路设计、技术和应用以及跨学科融合领域的最新技术成果。今年的主题继续是“物联网和5G的传感器、集成电路和系统”。

    第三届IEEE国际集成电路技术与应用学术会议(ICTA2020),将于2020年11月23至25日在中国南京举行。该会议按照IEEE的国际会议相关标准举办,会议意在交流和展示当今社会中集成电路设计、技术和应用以及跨学科融合领域的最新技术成果。今年的主题继续是“物联网和5G的传感器、集成电路和系统”。
      
      ICTA 2020现公开征集包括但不仅限于以下领域的有创新性发现和设计的稿件:
      
      1.射频集成电路和毫米波集成电路:基于硅的射频集成电路、基于复合半导体的毫米波集成电路、低噪声放大器、压控振荡器、锁相环、移相器、混频器、射频开关、巴伦、功率放大器等。
      
      2.模拟和混合信号集成电路:电源管理和能量采集装置及系统、放大器、比较器、滤波器、自动发电控制、视频图形阵列、模数转换器、数字模拟转换器等。
      
      3.数字集成电路和存储器:系统级芯片、处理器、FPGA、AI和深度学习处理器、数字信号处理、存储器等。
      
      4.有线集成电路:高速数据链路、光收发、串行器、CDR、均衡器、调制器等。
      
      5.建模、CAD和测试:紧凑模型和提取技术(硅基)、SPICE模型和提取技术(非硅)、氮化镓、碳化硅、ASM-HEMT的建模技术、二维材料基器件、量子器件、测试结构设计和模型参数提取、射频校准和可靠数据采集、CAD、EM/TCAD仿真离子、协同仿真与验证技术、PDK验证等。
      
      6.器件及工艺:CMOS、鳍式场效应晶体管、无结器件、负电容器件、UTSOI、横向扩散金属氧化物半导体、HEMT、HBT、SiGe、GaAs、InP、Gan、第三代材料、MEMS、器件表征、FAR器件、3d集成、TSV等。flash,OPT、MPT、SRAM、DRAM、3DNAND、MRAM、RRAM、PCRAM、FeRAM、crossbar、DRAM+MCU等。
      
      7.封装与混合集成:有源天线、电磁场、滤波器、混合MIC、MCM、SIP、SOP、TSV、倒装芯片组装、引线键合、各向异性导电膜、互连技术、多物理与多尺度EM计算/模拟、3D封装等。
      
      8.传感器及应用:MEMS传感器、图像传感器、物理传感器、化学传感器、生物传感器、智能与智能传感器、传感器接口、传感器技术与应用等。
      
      9.基于集成电路的应用:基于IC的模块和系统集成、汽车电子、汽车雷达、5G系统、人工智能系统、物联网、医疗和生物医学系统等。
      
      10.新兴技术及应用:二维材料、环保植入式材料、神经形态器件、光电器件、器件表征等。
      
      投稿须知:
      
      为鼓励及时报告最新研究成果,并有更好的机会扩写为期刊论文,投稿要求:作者以英语写作并按照IEEEXplorePDF格式排版,提交一份两页的论文(若论文被录用,请提交初稿及终稿)。论文应强调原创性和关键发现,包括通过直接或间接测量验证的模拟的数据、图表和结果。鼓励同时提交两页图表补充数据,这些数据仅供审稿使用,不会出现在最终出版论文集中。提交论文应明确引用最新的参考文献。受邀论文最多可提交6页。通过提交一份论文,作者承诺,如果论文被录用,至少需要有一名作者全款注册。
      
      论文提交截止日期:2020年8月3日(星期一)
      
      发布录用通知:2020年9月3日(星期二)
      
      提交终稿:2020年10月16日(星期五)
      
      官方网站:http://www.ieee-icta.cnorhttp://www.ieee-icta.net
      
      编辑:Harris
      
      

    第三届IEEE国际集成电路技术与应用学术会议(ICTA2020),将于2020年11月23至25日在中国南京举行。该会议按照IEEE的国际会议相关标准举办,会议意在交流和展示当今社会中集成电路设计、技术和应用以及跨学科融合领域的最新技术成果。今年的主题继续是“物联网和5G的传感器、集成电路和系统”。