三菱IGBT模块

三菱IGBT模块

武汉晶达电子有限公司聚十多年功率半导体的专业经验,为三菱功率半导体器件在中国区域的授权代理商，负责三菱功率半导体在中国市场的推广和销售工作。以下大量现货，欢迎查询。

A系列

特点:

a) 采用最新的CSTBT硅片技术；

b) 低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff高短路承受力（不需要RTC）；

c) 降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT；

d) 采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻；

e) 比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构，按IEC747-15标准定义温度和热阻。

用途:

低成本设计，适合中、低端